O surgimento de eletrônicos portáteis, como telefones celulares, MP3 players, câmeras digitais e netbooks, ao longo dos últimos 20 anos levou à disparada procura não-volátil (mantendo informações depois poder é removido) memória flash por causa de seu tamanho de células pequenas e baixo consumo de energia. No entanto, o mais dimensionamento da memória flash além da tecnologia de 15-nanômetros (dimensão de recurso) é altamente problemático por causa do limite fundamental da estrutura da célula. Célula de a unidade de memória flash é muito parecida com o convencional metal-óxido-semicondutor efeito transistor de campo (MOSFET), exceto a porta flutuante adicional para armazenar cargas elétricas. Não está claro se a tecnologia MOSFET pode ser dimensionada além do comprimento do canal de 15 nm, uma vez que a restrição física de corrente de tunelamento quântico-mecânico pode dominar tais comprimentos de canal curto.

Entretanto, lá tem sido muito ativa de pesquisa em alternativas memórias não-volátil para substituir o flash. Entre os mais maduros são condutores random access memory (FRAM), magnetoresistive random access memory (MRAM) e memória de acesso aleatório de mudança de fase (PCRAM). MOSFET embora tecnologia não é necessária armazenar dados nessas tecnologias, adicionando as células de unidade é inevitável na maioria dos casos para garantir o correto ler e gravar operações na matriz de memória, onde a perturbação dos vizinhos de células é uma preocupação séria. Memória de , portanto, a escalabilidade dessas tecnologias além do flash atual é implausível. Que vai rever este ponto mais tarde no artigo. Além disso, porque sua unidade (feitas de um MOSFET mais um elemento de memória) as células são maiores que os do flash, o custo seria maior. Como resultado, eles não são susceptíveis de competir diretamente com a memória flash no mercado mainstream. Na verdade, os aplicativos atuais de PCRAM FRAM e MRAM estão limitados a áreas de nicho, como sistemas aeroespaciais.